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我们研究了电弱相互作用暗物质(DM)模型,其中DM是SU(2)L三重态费米子的中性成分,它通过SM单重态希格斯玻色子耦合到标准模型(SM)希格斯扇区。 在这种设置中,DM可以在可重归一化的级别上将违反CP的耦合耦合到单重态Higgs玻色子。 只要存在非零的希格斯门耦合(单重双希格斯玻色子混合),我们就可以通过电子的电偶极矩来探测CP违反DM的情况。 假设O(1)违反CP的幅度,我们研究电子EDM与单重态希格斯玻色子质量和耦合之间的关系。 发现对于中等数值的希格斯门户耦合,由于工作中的消除机制,当前的实验EDM边界不能排除宽的参数空间。 我们还研究了该模型中DM的自旋无关截面。 发现,尽管类似的
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