T通道单顶夸克生产中顶夸克极化的测量

提出了在t通道单顶夸克生产中对顶夸克极化敏感的顶夸克自旋不对称性的首次测量。 它基于在8 TeV质心能量下的pp碰撞的样本，对应于19.7 fb -1的综合光度。 选择了带有隔离介子的t通道单顶夸克事件的高纯度样本。 使用对数据的拟合来估计信号和背景成分。 对观察到的对顶夸克偏振敏感的角度进行差分横截面测量（针对检测器影响进行校正）。 微分分布用于提取0.26±0.03（stat）±0.10（syst）的顶级夸克自旋不对称性，其与4.6％的p值兼容，标准模型预测为0.44。