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AlxGa1-xN/AlN 缓冲层结构中AlN层厚度对在Si衬底上生长GaN外延薄膜的性质影响研究，戴江南，方妍妍，在本论文中，利用金属有机化学气相沉积方法对高温AlN缓冲层在硅衬底上进行GaN薄膜材料的性质影响进行了研究。重点研究不同高温AlN缓
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